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绿色LED所呈现的光输出（绿色间隙现象）的显着下降经常是效率问题和客户应用中的高成本的原因。对于其基于铟镓氮化物（InGaN）的绿色LED，欧司朗光电半导体已经成功地将典型的正向电压大幅降低了大约600 mV。随着光输出功率的同步增长，与欧司朗整个UX：3产品组合中的前代产品相比，客户立即从效率提高高达40％中获益。
欧司朗光电半导体现在已经成功地降低了绿色LED的典型正向电压
Osram Opto Semiconductors的开发人员设法将功率密度为45 A /cm2的绿色直接发光InGaN LED的典型正向电压降低600 mV至2.6 V. 好处是相当可观的，特别是在组合使用红色，蓝色和绿色LED的应用中。由于现在所有三种颜色的电压都小于3 V，因此以前为更高的最大电压而设计的驱动器现在可以缩小尺寸。这又降低了耗散功率损耗和成本。提高效率的关键因素是改善了电荷载流子传输并优化了外延层中的材料质量。
采用新技术，在350 mA，1mm2UX：3芯片波长530 nm附近达到175 lm / W的效率。在1 A的泵浦电流下，绝对光输出超过300流明，为客户带来新的应用。
“直到最近，对于绿色直接发光InGaN LED而言，这些效率值似乎无法实现。现在我们正在进入迄今为止只能使用磷光体转换发射器才能实现的领域，但光谱质量明显降低。由于我们的开发团队的成功，我们已经能够大幅减少客户的绿色差距现象，“欧司朗光电半导体的项目经理Adam Bauer表示。
该团队目前正在进行进一步的改进，这些改进提供了最近研究结果显而易见的潜力。
